LED效能大突破！研究團體開發出新半導體材料

2015-12-31 16:34 瀏覽次數：7335

日前由前台大校長李嗣涔、曾任台大電子所教授何誌浩組成的跨國研究團隊，成功研發出號稱“零缺陷”的新半導體材料，可望大幅提升 LED 發光效率。

          這個團隊的組成是美國加州大學柏克萊分校教授Ali Javey、阿卜杜拉國王科技大學(KAUST)教授何誌浩、、前台大校長李嗣涔等人組成，已經發表了論文，論文共同第一作者連德軒是台大電機係博士。

    台大跨國研究團隊指出，過去的半導體材料如果越薄，其本身的物理缺陷就會對於電子、光電元件的可用效能，產生負麵的影響。而目前該研究團隊找到了修複缺陷的簡單方法，建構出優質的單層二維半導體材料 MoS2，沒有過去二維材料的缺陷密度過高問題，期望未來可以提升 LED 發光的效率，更之後則有機會成為超微小半導體元件中的重要材料選擇之一。

    根據研究團隊的說法，這種材料可以發展出透明，同時具備撓性的高性能LED顯示器，以及超高效率的太陽能發電元件，以及高敏感度的光偵測元件，還有更低功耗的奈米級半導體電晶體元件。

    LEDinside 檢視他們論文和發表的內容，研究團隊是把二硫化鉬（MoS2）材料浸潤在亞胺（bistriflimide）的有機超強酸裏麵，這樣一來可大幅提高二維材料的量子效率，提升的極限，從原本提升不到1％的效果，增加到接近100％，換言之就是將近倍增的效果，因此有些媒體報導說 LED 發光效率可以提升 100 倍，這是錯誤的描述，並不是真的。

    業界的計算，對於紅色LEDμ（e-L）R=89.55%×60%=53.73%，而對於藍色LED則有μ（e-L）β=77.64%×60%=46.58%。

    藍光的內量子效率目前能達到77%，外量子效率60%，這樣藍光的量子效率是46%。因此如果新材料能夠讓量子效率倍增，應該是很不錯的成就了。style="FONT-FAMILY: ">

    這個材料要商業化，預期還有一段時間，世人可以拭目以待，期望有更好的光電與半導體材料造福人群與產業。

                                                  來源：中國LED在線